恩智浦半导体公司（纳斯达克股票代码：NXPI），RF功率的领导者，今天宣布了一种新的横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术，用于可在高达65伏（V）的电压下工作的RF功率晶体管。这种超高压LDMOS工艺将产生新一代产品：MRFX系列。

随着射频在各种工业应用中变得越来越普遍，恩智浦正在为射频功率工程师提供一种缩短设计周期时间的方法：

更高的功率–更高的电压可实现更高的输出功率，从而有助于减少组合晶体管的数量，简化功率放大器的复杂性并减小其尺寸。更快的开发时间–更高的电压可提高输出功率，同时保持合理的输出阻抗。这简化了对50欧姆的匹配，尤其是在宽带应用中。更快的匹配速度大大缩短了开发时间。设计重用–这种阻抗优势还确保了与当前50 V LDMOS晶体管的引脚对引脚兼容性，从而使RF设计人员可以在更短的时间内重用现有的印刷电路板（PCB）设计易于管理的电流水平–更高的电压降低了系统电流，从而限制了直流电源的压力并减少了磁辐射。宽的安全裕度– NXP 65 V LDMOS技术的击穿电压为182 V，从而提高了可靠性并实现更高效率的架构。

MRFX系列的第一款产品是MRFX1K80，这是业界功能最强大的连续波（CW）RF晶体管。它旨在在65 V电压下提供1800瓦（W）的CW，适用于1至470兆赫（MHz）的应用，并能够处理65：1的电压驻波比（VSWR）。

恩智浦多市场射频功率高级总监兼总经理Pierre Piel说：“我们的1250、1500与新型1800 W晶体管之间的直接兼容性使我们的客户能够为多个终端产品创建一个可扩展的平台。”“借助新一代产品，我们可以帮助我们的客户在更短的时间内兑现更高性能，更坚固耐用的产品的承诺。”

MRFX1K80适用于工业，科学和医学（ISM）应用，例如激光生成，等离子体蚀刻，磁共振成像（MRI），皮肤治疗和透热疗法以及颗粒加速器和其他科学应用。MRFX1K80还设计用于无线电和超高频（VHF）电视广播发射机。当前使用真空管的工业加热，焊接，固化或干燥机也将受益于固态所能实现的更高水平的控制。

可用性和开发支持

空气腔陶瓷封装的MRFX1K80H晶体管目前正在提供样品，预计于2017年8月生产。现在提供用于27 MHz和87.5-108 MHz应用的参考电路。恩智浦将在几个月内提供包覆成型的塑料版本MRFX1K80N，该材料可将热阻降低30％，以提高可靠性和易用性。有关价格或其他信息，请联系您当地的恩智浦销售办事处或恩智浦认可的经销商。

有关更多信息，请访问www.nxp.com/65V和www.nxp.com/MRFX1K80H。